BGO晶體基片

簡要描述：BGO晶體基片

產(chǎn)品型號：
廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家
更新時間：2024-10-22
訪問量：2264

產(chǎn)品咨詢聯(lián)系我們

產(chǎn)品分類

晶體產(chǎn)品

A-Z系列晶體列表 A-Z系列濺射靶材 A~Z系列金屬單晶，多金，箔片 A~Z系列蒸發(fā)材料功能外延薄膜系列超導薄膜雙晶基片 Ⅲ-Ⅴ族晶體基片激光晶體基片包裝盒，鑷子，儲藏盒，吸筆石墨烯薄膜系列查看全部產(chǎn)品

相關(guān)文章

詳細介紹

產(chǎn)品名稱：

鍺酸鉍(Bi4Ge3O12)晶體基片

產(chǎn)品簡介：

鍺酸鉍（Bi4Ge3O12簡稱BGO）是一種具有立方結(jié)構(gòu)、無色透明的無機氧化物晶體，它不溶于水，在高能粒子或高能射線（x-射線、γ-射線）激發(fā)下能發(fā)出峰值為480nm波長的綠色熒光。BGO晶體具有強阻止射線能力、高閃爍效率、優(yōu)良的能量分辨率及不潮解等優(yōu)點，所以是一種優(yōu)良的閃爍體，廣泛應(yīng)用于高能物理、核物理、空間物理、核醫(yī)學、地質(zhì)勘察和其它工業(yè)領(lǐng)域。

技術(shù)參數(shù)：

基本性質(zhì)

晶向	<100>
晶體結(jié)構(gòu)	立方
晶格常數(shù)	a=10.518?
生長方法	提拉法
熔點	1050℃
密度	7.12g/cm3
莫氏硬度	5 Mohs
透過范圍	350~5500nm
電光系數(shù) (x10-12m/V )	r41 1.03
折射率	2.098@ 632.8nm
激發(fā)光譜	305nm
熒光光譜	480~510nm
相對光輸出	10~14% Nal (Tl)
衰減時間	300ns
臨界能量	10.5Mev
能量分辨率(511千電子伏特)	20%

產(chǎn)品規(guī)格：

可按客戶要求定制尺寸

標準包裝：

1000級超凈室，100級超凈袋或單片盒封裝

產(chǎn)品咨詢

留言框

產(chǎn)品：
您的單位：
您的姓名：
聯(lián)系電話：
常用郵箱：
省份：
詳細地址：
補充說明：
驗證碼：

請輸入計算結(jié)果（填寫阿拉伯數(shù)字），如：三加四=7

久久xxx,欧美日韩综合在线,日韩AV无码久久一区二区,人妻初次3p细腻经历

BGO晶體基片

留言框

產(chǎn)品：

您的單位：

您的姓名：

聯(lián)系電話：

常用郵箱：

省份：

詳細地址：

補充說明：

驗證碼：