OTF-1200X-S-HPCVD是一款坩堝可爐管內(nèi)移動(dòng)(靠步進(jìn)電機(jī)控制)的小型開(kāi)啟式管式爐。爐管直徑為50mm,設(shè)備zui高工作溫度為1200℃。
設(shè)備特點(diǎn):坩堝通過(guò)一步進(jìn)電機(jī)控制爐管,按照設(shè)定程序移動(dòng),同時(shí)坩堝后端安裝一熱電偶(隨坩堝儀器移動(dòng)),可實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)樣品的溫度,意味著可通過(guò)移動(dòng)坩堝的位置,在爐體中準(zhǔn)確找到實(shí)驗(yàn)所需要的溫度,使得實(shí)驗(yàn)準(zhǔn)確度更高,重復(fù)性更強(qiáng)。此款設(shè)備可用于多種實(shí)驗(yàn),比如HPCVD(hybrid physical chemical deposition),快速熱蒸發(fā),也可用于水平布里奇曼(Bridgman)法來(lái)長(zhǎng)晶體。
技術(shù)參數(shù)
高溫爐部分 | - 爐體設(shè)計(jì)為開(kāi)啟式,以便于更換爐管
- 工作電源:208 - 240 VAC, 50/60Hz
- zui大功率為:2KW
- zui高工作溫度:1200℃(<1hr)
- 連續(xù)工作溫度:1100℃
- 加熱區(qū)長(zhǎng)度:200mm
- 恒溫區(qū)長(zhǎng)度:60mm(+/-1℃ @ 1000 ℃ )
- 爐管:高純石英管,尺寸50mm O.D x 44mm I.D x 450mm L)(點(diǎn)擊圖片查看詳細(xì)資料)
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溫度控制系統(tǒng) | - 采用PID30段程序化控溫,其控溫精度為+/-1℃
- 控溫儀表操作視頻
- 設(shè)有過(guò)熱和斷偶保護(hù)
- 熱電偶采用K型熱電偶
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真空密封 | - 采用KF結(jié)構(gòu)密封法蘭,硅膠密封圈密封
- 法蘭上安裝有一機(jī)械壓力表
- 左端法蘭與一個(gè)真空不銹鋼波紋管連接(不銹鋼波紋管zui大伸縮幅度為150mm)
- 真空度:10-2Torr(用機(jī)械泵抽) 10-5Torr(用分子泵抽)
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坩堝移動(dòng)機(jī)構(gòu)&PLC控制 | - 一個(gè)直徑為1/4"的歐米伽鎧裝熱電偶(K型),通過(guò)法蘭伸入到爐管中,并可隨坩堝移動(dòng),可實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)樣品的實(shí)際溫度。
- 通過(guò)步進(jìn)電機(jī)移動(dòng)爐管內(nèi)的坩堝(樣品臺(tái)),zui大行程為100mm,移動(dòng)精度為1mm
- 通過(guò)觸摸屏設(shè)定坩堝一定的距離和目標(biāo)位置,坩堝移動(dòng)速度為180mm/min(更精確的移動(dòng)速度,可與本公司定制,需額外收費(fèi))
- 可觀察下圖,了解坩堝與熱電偶的安裝方法
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zui大加熱速率和冷卻速率 | 可通過(guò)移動(dòng)樣品到已預(yù)加熱的爐體中來(lái)得到zui大的加熱速率,也可將樣品迅速移除高溫的爐體,來(lái)得到zui大的降溫速率 zui大加熱速率 10℃/sec (150℃ - 250℃); 7℃/sec (250℃ - 350℃); 4℃/sec (350℃ - 500℃); 3℃/sec (500℃ - 550℃); 2℃/sec (550℃ - 650℃); 1℃/sec (650℃ - 800℃); 0.5℃/sec (800℃ - 1000℃); | zui大降溫速率 10℃/sec (950℃ - 900℃); 7℃/sec (900℃ - 850℃); 4℃/sec (850℃ - 750℃); 2℃/sec (750℃ - 600℃); 1.5℃/sec (600℃ - 500℃); 1℃/sec (500℃ - 400℃); 0.5℃/sec (400℃ - 300℃); | |
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可選配件 | - 可選購(gòu)手動(dòng)擋板閥(圖1)
- 防腐型數(shù)顯真空計(jì)(圖4)
- 快速連接法蘭,以方便于放置樣品(圖2)
- 多路質(zhì)量流量計(jì)控制的混氣系統(tǒng),用于CVD和DVD實(shí)驗(yàn)(圖5)
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尺寸 | |
質(zhì)保 | 一年質(zhì)保期,終生維護(hù)(不含加熱元件、爐管和密封圈) |
質(zhì)量認(rèn)證 | - CE認(rèn)證
- 所有電器元件(>24V)都通過(guò)UL / MET / CSA認(rèn)證
- 若客戶(hù)出認(rèn)證費(fèi)用,本公司保證單臺(tái)設(shè)備通過(guò)德國(guó)TUV認(rèn)證或CAS認(rèn)證
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注意事項(xiàng) | - 爐管內(nèi)氣壓不可高于0.02MPa
- 由于氣瓶?jī)?nèi)部氣壓較高,所以向爐管內(nèi)通入氣體時(shí),氣瓶上必須安裝減壓閥,建議在本公司選購(gòu)減壓閥,本公司減壓閥量程為0.01MPa-0.1MPa,使用時(shí)會(huì)更加精確安全
- 當(dāng)爐體溫度高于1000℃時(shí),爐管內(nèi)不可處于真空狀態(tài),爐管內(nèi)的氣壓需和大氣壓相當(dāng),保持在常壓狀態(tài)
- 進(jìn)入爐管的氣體流量需小于200SCCM,以避免冷的大氣流對(duì)加熱石英管的沖擊
- 石英管的長(zhǎng)時(shí)間使用溫度<1100℃
- 對(duì)于樣品加熱的實(shí)驗(yàn),不建議關(guān)閉爐管法蘭端的抽氣閥和進(jìn)氣閥使用。若需要關(guān)閉氣閥對(duì)樣品加熱,則需時(shí)刻關(guān)注壓力表的示數(shù),若氣壓表示數(shù)大于0.02MPa,必須立刻打開(kāi)泄氣閥,以防意外發(fā)生(如爐管破裂,法蘭飛出等)
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應(yīng)用 | - 此款設(shè)備可用于多種實(shí)驗(yàn),以下列出了幾種實(shí)驗(yàn)方法
- RTE(快速熱蒸發(fā)):蒸發(fā)料放在坩堝中,放入到爐體中心,基片放在樣品臺(tái)上,樣品臺(tái)與熱電偶相連接,然后將樣品臺(tái)移動(dòng)到理想的位置(此位置溫度是實(shí)驗(yàn)所需要的溫度)
- HPCVD(混合物理化學(xué)沉積):與RTE相似,但需配混氣系統(tǒng),對(duì)反應(yīng)氣體混合并控制流量,同時(shí)也需設(shè)定蒸發(fā)料的位置(確定蒸發(fā)料的蒸發(fā)溫度)
- 水平布里奇曼(Bridgman)法來(lái)長(zhǎng)晶體:將樣品和籽晶放入到坩堝中,并將坩堝放入到爐體中心位置,然后設(shè)定坩堝移動(dòng)速度,慢慢移動(dòng)坩堝
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