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當(dāng)前位置:首頁   >  產(chǎn)品中心  >  薄膜制備全套設(shè)備  >  射頻等離子磁控濺射鍍膜儀  >  VTC-5RFI薄膜研究5靶頭等離子射頻磁控濺射儀

5靶頭等離子射頻磁控濺射儀

簡要描述:VTC-5RF是一款5靶頭的等離子射頻磁控濺射儀,針對于高通量MGI(材料基因組計(jì)劃)薄膜的研究。特別適合用于探索固態(tài)電解質(zhì)材料,通過5種元素,按16種不同配比組合。

  • 產(chǎn)品型號:VTC-5RFI薄膜研究
  • 廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
  • 更新時(shí)間:2024-10-22
  • 訪  問  量:3332

詳細(xì)介紹

 VTC-5RF是一款5靶頭的等離子射頻磁控濺射儀,針對于高通量MGI(材料基因組計(jì)劃)薄膜的研究。特別適合用于探索固態(tài)電解質(zhì)材料,通過5種元素,按16種不同配比組合。

 

技術(shù)參數(shù)

概念

  • 5個(gè)濺射頭安裝5種不同材料
  • 通過不同的濺射時(shí)間,5種材料可以濺射出不同組分的產(chǎn)物,
  • 選擇5個(gè)等離子射頻電源,可在同一時(shí)間濺射5種材料
  • 真空腔體中安裝有旋轉(zhuǎn)樣品臺,可以制作16個(gè)樣品

電源

單相220 VAC, 50 / 60 Hz

射頻電源

  • 一個(gè)13.5MHz,300W自動(dòng)匹配的射頻電源安裝在儀器上,并與靶頭相連接
  • 一個(gè)旋轉(zhuǎn)開關(guān)可一次激活一個(gè)濺射頭。濺射頭可以在真空或等離子體環(huán)境中自動(dòng)切換
  • 可選購多個(gè)射頻電源,同一時(shí)間濺射多個(gè)靶材。
  • 所有的濺射參數(shù),都可由電腦設(shè)置

直流電源(可選)

  • 可選購直流電源,來濺射金屬靶材
  • 可配置5個(gè)直流或射頻電源,來同時(shí)濺射5中靶材

磁控濺射頭

 

  • 5個(gè)1英寸的磁控濺射頭,帶有水冷夾層
  • 可在本公司額外購買射頻線
  • 電動(dòng)擋板安裝在濺射腔體內(nèi)
  • 設(shè)備中配有一循環(huán)水冷機(jī),水流量為10L/min
  •  (1)  (2) (3) (4)

濺射靶材


  • 所要求靶材尺寸:直徑為25.4mm,zui大厚度3mm
  • 濺射距離: 50 – 80 mm(可調(diào))
  • 濺射角度: 0 – 25°(可調(diào))
  • 配有銅靶和 Al2O3 靶,用于樣品測試用
  • 可在本公司購買各種靶材
  • 實(shí)驗(yàn)時(shí),需要將靶材和銅片粘合,可通過導(dǎo)電銀漿粘合(可在本公司購買導(dǎo)電銀漿)

真空腔體

 

  • 真空腔體采用304不銹鋼制作
  • 腔體內(nèi)部尺寸:  470mm L×445mm D×522mm H  (~ 105 L)
  • 鉸鏈?zhǔn)角婚T,直徑為Φ380mm,上面安裝有Φ150mm的玻璃窗口
  • 真空度: 4E-5 torr (采用分子泵)

樣品臺

  • 直徑為150mm的樣品臺,上面覆蓋一旋轉(zhuǎn)臺,帶有10mm的孔洞,每次露出一個(gè)樣品接收濺射成膜。
  • 樣品臺尺寸:Φ150mm,可通過程序控制來旋轉(zhuǎn),可制作16種不同組分的薄膜
  • 樣品臺可以加熱,zui高溫度可達(dá)600℃

真空泵

  • 設(shè)備中配有一小型渦旋分子泵
  • 真空泵接口為KF40

石英振蕩測厚儀(可選)

可選購精密石英振蕩測厚儀,安裝在真空腔體內(nèi),實(shí)時(shí)測量薄膜的厚度,精確度為0.1 Å(需水冷)

凈重

60kg

質(zhì)量認(rèn)證

CE認(rèn)證

質(zhì)保

一年質(zhì)保期,終生維護(hù)

應(yīng)用注意事項(xiàng)

  • 此款設(shè)備設(shè)置主要是在單晶基片上制作氧化物薄膜,所以不需要高真空的環(huán)境
  • 所用氣瓶上必須安裝減壓閥(可在本公司購買),所用Ar氣純度為5N
  • 為了得到較好質(zhì)量的薄膜,可以對基片進(jìn)行清洗
  • 用超聲波清洗機(jī),用丙酮或乙醇作為清洗介質(zhì),清除基片表面的油脂,然后在N2氣或真空環(huán)境下對基片干燥
  • 等離子清洗機(jī),可使基片表面粗糙化,改變基片表面化學(xué)活性,清除表面污染物
  • 可在基片表面鍍上緩沖層,如Cr, Ti, Mo, Ta,,可改善金屬或合金膜的粘附性
  • 濺射一些非導(dǎo)電靶材,其靶材背后必須附上銅墊片
  • 本公司實(shí)驗(yàn)室成功地在Al2O3基片上成功生長出ZnO外延膜
  • 因?yàn)闉R射頭連接著高電壓,所以用戶在放入樣品或更換靶材時(shí),必須切斷電源
  • 不可用自來水作為冷卻水,以防水垢堵塞水管。應(yīng)該用等離子水,或冷卻介質(zhì)
  •   

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